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GBJ1506

产品描述3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    普通整流桥   
文件大小149KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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GBJ1506概述

3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBJ1506规格参数

参数名称属性值
PackageGBJ
Maximum recurrent peak reverse voltage600
Maximum average forward rectified curre7.5
Peak forward surge curre240
Maximum instantaneous forward voltage1.05
Maximum reverse curre10
TJ(℃)-65~+150

GBJ1506相似产品对比

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描述 3.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 15 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Package GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ
Maximum recurrent peak reverse voltage 600 50 100 200 400 800 1000
Maximum average forward rectified curre 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5 7.5
Peak forward surge curre 240 240 240 240 240 240 240
Maximum instantaneous forward voltage 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05 1.05
Maximum reverse curre 10 10 10 10 10 10 10
TJ(℃) -65~+150 -65~+150 -65~+150 -65~+150 -65~+150 -65~+150 -65~+150
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