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INA333AIDRGT: 产品描述Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小861KB，共26页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到11个与INA333AIDRGT功能相似器件

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INA333AIDRGT概述

Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125

INA333AIDRGT规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SON
包装说明	HVSON, SOLCC8,.12,20
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0002 µA
标称带宽 (3dB)	0.15 MHz
最小共模抑制比	100 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.0002 µA
最大输入失调电压	25 µV
JESD-30 代码	S-PDSO-N8
JESD-609代码	e4
长度	3 mm
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.12,20
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	0.8 mm
标称压摆率	0.05 V/us
最大压摆率	0.08 mA
供电电压上限	5.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	1000
最小电压增益	1
标称电压增益	10
宽度	3 mm
Base Number Matches	1

INA333AIDRGT相似产品对比

	INA333AIDRGT	INA333AIDGKRG4	INA333AIDGKT	INA333AIDGKTG4	INA333AIDRGR
描述	Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125	Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -40 to 125	INST Amp Single R-R O/P ±2.75V/5.5V 8-Pin VSSOP T/R	Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -40 to 125	Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SON	MSOP	MSOP	MSOP	SON
包装说明	HVSON, SOLCC8,.12,20	TSSOP, TSSOP8,.19	TSSOP, TSSOP8,.19	TSSOP, TSSOP8,.19	HVSON, SOLCC8,.12,20
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks	12 weeks	6 weeks	6 weeks	6 weeks
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA
标称带宽 (3dB)	0.15 MHz	0.15 MHz	0.15 MHz	0.15 MHz	0.15 MHz
最小共模抑制比	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA	0.0002 µA
最大输入失调电压	25 µV	25 µV	25 µV	25 µV	25 µV
JESD-30 代码	S-PDSO-N8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	S-PDSO-N8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4
长度	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
湿度敏感等级	2	2	2	2	2
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON	TSSOP	TSSOP	TSSOP	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.12,20	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19	SOLCC8,.12,20
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法	TR	TR	TR	TR	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	0.8 mm	1.07 mm	1.07 mm	1.07 mm	0.8 mm
标称压摆率	0.05 V/us	0.05 V/us	0.05 V/us	0.05 V/us	0.05 V/us
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
供电电压上限	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大电压增益	1000	1000	1000	1000	1000
最小电压增益	1	1	1	1	1
标称电压增益	10	10	10	10	10
宽度	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm	3 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1

与INA333AIDRGT功能相似器件

器件名	厂商	描述
INA333AIDRGR	Texas Instruments(德州仪器)	Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125
MCP6N11T-001E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11T-005E/MNY	Microchip(微芯科技)	IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8TDFN
MCP6N11-001E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11-005E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11-010E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11-100E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11T-100E/MNY	Microchip(微芯科技)	IC OPAMP INSTR 35MHZ RRO 8TDFN
MCP6N11T-010E/MNY	Microchip(微芯科技)	Instrumentation Amplifiers Sngl Instrumentation Amp mCal E temp
MCP6N11-002E/MNY	Microchip(微芯科技)	INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11T-002E/MNY	Microchip(微芯科技)	IC OPAMP INSTR 1MHZ RRO 8TDFN

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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