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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> INA333AIDRGR
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INA333AIDRGR

产品描述Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小861KB，共26页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到11个与INA333AIDRGR功能相似器件
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INA333AIDRGR概述

Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125

INA333AIDRGR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SON
包装说明HVSON, SOLCC8,.12,20
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.0002 µA
标称带宽 (3dB)0.15 MHz
最小共模抑制比100 dB
最大输入失调电流 (IIO)0.0002 µA
最大输入失调电压25 µV
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.12,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
峰值回流温度（摄氏度）260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
标称压摆率0.05 V/us
最大压摆率0.08 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益1000
最小电压增益1
标称电压增益10
宽度3 mm
Base Number Matches1

INA333AIDRGR相似产品对比

INA333AIDRGR INA333AIDGKRG4 INA333AIDGKT INA333AIDGKTG4 INA333AIDRGT
描述 Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125 Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -40 to 125 INST Amp Single R-R O/P ±2.75V/5.5V 8-Pin VSSOP T/R Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-VSSOP -40 to 125 Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SON MSOP MSOP MSOP SON
包装说明 HVSON, SOLCC8,.12,20 TSSOP, TSSOP8,.19 TSSOP, TSSOP8,.19 TSSOP, TSSOP8,.19 HVSON, SOLCC8,.12,20
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 12 weeks 6 weeks 6 weeks 6 weeks
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA
标称带宽 (3dB) 0.15 MHz 0.15 MHz 0.15 MHz 0.15 MHz 0.15 MHz
最小共模抑制比 100 dB 100 dB 100 dB 100 dB 100 dB
最大输入失调电流 (IIO) 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA
最大输入失调电压 25 µV 25 µV 25 µV 25 µV 25 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4
长度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
湿度敏感等级 2 2 2 2 2
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON TSSOP TSSOP TSSOP HVSON
封装等效代码 SOLCC8,.12,20 TSSOP8,.19 TSSOP8,.19 TSSOP8,.19 SOLCC8,.12,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法 TR TR TR TR TR
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.8 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 0.8 mm
标称压摆率 0.05 V/us 0.05 V/us 0.05 V/us 0.05 V/us 0.05 V/us
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
供电电压上限 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大电压增益 1000 1000 1000 1000 1000
最小电压增益 1 1 1 1 1
标称电压增益 10 10 10 10 10
宽度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1

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器件名 厂商 描述
INA333AIDRGT Texas Instruments(德州仪器) Low-Power, Zero-Drift, Precision Instrumentation Amplifier 8-SON -40 to 125
MCP6N11T-100E/MNY Microchip(微芯科技) IC OPAMP INSTR 35MHZ RRO 8TDFN
MCP6N11T-002E/MNY Microchip(微芯科技) IC OPAMP INSTR 1MHZ RRO 8TDFN
MCP6N11T-001E/MNY Microchip(微芯科技) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11T-010E/MNY Microchip(微芯科技) Instrumentation Amplifiers Sngl Instrumentation Amp mCal E temp
MCP6N11T-005E/MNY Microchip(微芯科技) IC OPAMP INSTR 2.5MHZ RRO 8TDFN
MCP6N11-100E/MNY Microchip(微芯科技) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11-010E/MNY Microchip(微芯科技) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
MCP6N11-001E/MNY Microchip(微芯科技) INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000 uV OFFSET-MAX, 35 MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, TDFN-8
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