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MWT-A371HN

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小282KB,共6页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-A371HN概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

MWT-A371HN规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压8 V
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-MDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-A371HN相似产品对比

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描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-4
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2 MICROWAVE, X-CXMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 MICROWAVE, X-CXMW-F4 MICROWAVE, S-CQMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 MICROWAVE, S-CQMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND
JESD-30 代码 R-MDFM-F2 X-CXMW-F4 R-XUUC-N4 X-CXMW-F4 S-CQMW-F4 R-XUUC-N4 S-CQMW-F4 R-XUUC-N4
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 4 4 4 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR UNSPECIFIED SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT MICROWAVE UNCASED CHIP MICROWAVE MICROWAVE UNCASED CHIP MICROWAVE UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 10 dB 9 dB 9 dB 9.5 dB 10 dB 10 dB 9.5 dB 9.5 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT NO LEAD FLAT FLAT NO LEAD FLAT NO LEAD
端子位置 DUAL UNSPECIFIED UPPER UNSPECIFIED QUAD UPPER QUAD UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
外壳连接 SOURCE SOURCE - SOURCE SOURCE - SOURCE -
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - -
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