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RN2905AFS: 产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小167KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2905AFS概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2905AFS规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)	0.08 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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RN2901AFS~RN2906AFS

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)

RN2901AFS, RN2902AFS, RN2903AFS

RN2904AFS, RN2905AFS, RN2906AFS

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

1.0±0.05

Unit: mm

•

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and saves assembly cost.

Complementary to the RN1901AFS to RN1906AFS

0.35 0.35

1.0±0.05

0.7±0.05

0.1±0.05

Type No.

RN2901AFS

RN2902AFS

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

0.48

-0.04

+0.02

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

RN2903AFS

RN2904AFS

RN2905AFS

RN2906AFS

fS6

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

1.EMITTER1

2.BASE1

3.COLLECTOR2

4.EMITTER2

5.BASE2

6.COLLECTOR1

(E1)

(B1)

(C2)

(E2)

(B2)

(C1)

―

2-1F1D

Weight: 1 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

(Q1, Q2 common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2901AFS to 2906AFS

RN2901AFS to 2904AFS

RN2905AFS, 2906AFS

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note 1)

stg

Rating

−50

−10

−5

−80

150

−55

to 150

Unit

Equivalent Circuit

(top view)

°C

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

2010-05-14

0.15±0.05

Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin)

package.

0.1±0.05

0.8±0.05

0.1±0.05

RN2905AFS相似产品对比

	RN2905AFS	RN2901AFS	RN2902AFS	RN2903AFS	RN2904AFS	RN2906AFS
描述	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
元件数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)

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