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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2901AFS
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RN2901AFS

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2901AFS概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2901AFS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2901AFS~RN2906AFS
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
RN2901AFS, RN2902AFS, RN2903AFS
RN2904AFS, RN2905AFS, RN2906AFS
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
1.0±0.05
Unit: mm
•
•
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and saves assembly cost.
Complementary to the RN1901AFS to RN1906AFS
0.35 0.35
1.0±0.05
0.7±0.05
1
2
3
6
5
4
0.1±0.05
C
Type No.
RN2901AFS
RN2902AFS
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
0.48
-0.04
+0.02
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
B
R1
R2
RN2903AFS
RN2904AFS
E
RN2905AFS
RN2906AFS
fS6
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1.EMITTER1
2.BASE1
3.COLLECTOR2
4.EMITTER2
5.BASE2
6.COLLECTOR1
(E1)
(B1)
(C2)
(E2)
(B2)
(C1)
―
―
2-1F1D
Weight: 1 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2901AFS to 2906AFS
RN2901AFS to 2906AFS
RN2901AFS to 2904AFS
RN2905AFS, 2906AFS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−80
50
150
−55
to 150
Unit
V
V
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
Q1
V
mA
mW
°C
°C
1
2
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
1
2010-05-14
0.15±0.05
Q2
3
Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin)
package.
0.1±0.05
0.8±0.05
0.1±0.05

RN2901AFS相似产品对比

RN2901AFS RN2902AFS RN2903AFS RN2904AFS RN2905AFS RN2906AFS
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数 6 6 6 6 6 6
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.36 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝)

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