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RN2107ACT

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2107ACT概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2107ACT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-N3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RN2107ACT~RN2109ACT
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2107ACT,RN2108ACT,RN2109ACT
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Top View
0.6±0.05
0.25±0.03
Unit: mm
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
Complementary to RN1107ACT to RN1109ACT
1.0±0.05
0.65±0.02
0.25±0.03
0.35±0.02
0.15±0.03
0.05±0.03
C
Type No.
RN2107ACT
RN2108ACT
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
CST3
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight:
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECOTR
B
R1
R2
2-1J1A
RN2109ACT
E
0.75 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2107ACT to RN2109ACT
RN2107ACT
Emitter-base voltage
RN2108ACT
RN2109ACT
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2107ACT to RN2109ACT
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−80
100*
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
* : Mounted on FR4 board (10 mm
×
10 mm
×
1 mm)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e.operatingtemperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1
2010-04-06
0.38 +0.02
-0.03
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
0.05±0.03
Extra small package (CST3) is applicable for extra high density
fabrication.
0.5±0.03

RN2107ACT相似产品对比

RN2107ACT RN2109ACT
描述 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 70
JESD-30 代码 R-PDSO-N3 R-PDSO-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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