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NVGS3136PT1G

产品描述Single P-Channel Power MOSFET -20V, -5.8A, 33mΩ Power MOSFET -20V -5.8A 33 mOhm Single P-Channel TSOP-6, 3000-REEL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准  
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NVGS3136PT1G概述

Single P-Channel Power MOSFET -20V, -5.8A, 33mΩ Power MOSFET -20V -5.8A 33 mOhm Single P-Channel TSOP-6, 3000-REEL

NVGS3136PT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明TSOP-6
制造商包装代码318G-02
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3.7 A
最大漏源导通电阻0.033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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