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HN4A56JU

产品描述Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
文件大小184KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN4A56JU概述

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

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HN4A56JU
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
HN4A56JU
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Small Package (Dual Type)
High Voltage and High Current
: V
CEO
=
−50V,
I
C
=
−150mA(MAX.)
High h
FE
Excellent h
FE
Linearity
: h
FE
(I
C
=
−0.1mA)
/ h
FE
(I
C
=
−2mA)
= 0.95 (typ.)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
(Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−150
−30
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.EMITTER1
2.BASE
3.EMITTER2
4.COLLECTOR2
5.COLLECTOR1
(E1)
(B)
(E2)
(C2)
(C1)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2L1C
Weight: 0.0062g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating: Power dissipation per element should not exceed 130mW.
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C) (Q1,Q2 Common)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter
saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
f
T
C
ob
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50V,
I
E
= 0
V
EB
=
−5V,
I
C
= 0
V
CE
=
−6V,
I
C
=
−2mA
I
C
=
−100mA,
I
B
=
−10mA
V
CE
=
−10V,
I
C
=
−1mA
V
CB
=
−10V,
I
E
= 0, f = 1MHz
Min
120
60
Typ.
−0.1
4
Max
−0.1
−0.1
400
−0.3
V
MHz
pF
Unit
μA
μA
Marking
Equivalent Circuit
(Top View)
5
4
37
Q1
Q2
1
2
3
1
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