REJ03C0098_R1LV0408C,REJ03C0098_R1LV0408C pdf中文资料,REJ03C0098_R1LV0408C引脚图,REJ03C0098

Datasheet> 器件分类 > 存储> REJ03C0098_R1LV0408C

REJ03C0098_R1LV0408C: 产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32; 产品类别存储; 文件大小86KB，共14页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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REJ03C0098_R1LV0408C概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32

REJ03C0098_R1LV0408C规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	32
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	70 ns
加工封装描述	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	8
组织	512K X 8
存储密度	4.19E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	524288 words
位数	512K
内存IC类型	STANDARD SRAM
串行并行	PARALLEL

REJ03C0098_R1LV0408C相似产品对比

	REJ03C0098_R1LV0408C	R1LV0408CSA-5SI	R1LV0408CSA-7LI	R1LV0408CSB-5SI	R1LV0408CSB-7LI	R1LV0408CSP-5SI	R1LV0408CSP-7LI
描述	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32	512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32
最大工作温度	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
额定供电电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大存取时间	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns
加工封装描述	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
工艺	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
组织	512K X 8	512K X 8	512K X 8	512K X 8	512K X 8	512K X 8	512K X 8
存储密度	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg	4.19E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
内存IC类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
串行并行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
位数	512K	512K	512K	512K	512K	512K	512K

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W