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R1LV0408CSP-7LI

产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
产品类别存储   
文件大小86KB,共14页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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R1LV0408CSP-7LI概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32

R1LV0408CSP-7LI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量32
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间70 ns
加工封装描述0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织512K X 8
存储密度4.19E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数524288 words
位数512K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

R1LV0408CSP-7LI相似产品对比

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描述 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电/工作电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
额定供电电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大存取时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
加工封装描述 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
组织 512K X 8 512K X 8 512K X 8 512K X 8 512K X 8 512K X 8 512K X 8
存储密度 4.19E6 deg 4.19E6 deg 4.19E6 deg 4.19E6 deg 4.19E6 deg 4.19E6 deg 4.19E6 deg
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
内存IC类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
串行并行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
位数 512K 512K 512K 512K 512K 512K 512K

 
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