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71V2556XSA150BGI

产品描述ZBT SRAM, 128KX36, CMOS, PBGA119, BGA-119
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文件大小351KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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71V2556XSA150BGI概述

ZBT SRAM, 128KX36, CMOS, PBGA119, BGA-119

71V2556XSA150BGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
用IAR编程,提示Error[Pe029]: expected an expression
Error[Pe029]: expected an expression#include#defineucharunsigned char#defineuintunsigned int#defineuclongunsigned long#defineTxRxBuf[i]void Delays(void);void PutString(uchar *ptr);void InitSys(void);v...
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