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MWT-5SG

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小201KB,共4页
制造商IXYS
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MWT-5SG概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6

MWT-5SG规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
针数6
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压7 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带K BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MWT-5SG相似产品对比

MWT-5SG MWT-5GG
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 7 V 7 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 K BAND K BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N5 R-XUUC-N5
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE

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