RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | IXYS |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 7 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | K BAND |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 9 dB |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
MWT-5SG | MWT-5GG | |
---|---|---|
描述 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-6 |
零件包装代码 | DIE | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
针数 | 6 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 7 V | 7 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | K BAND | K BAND |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N5 | R-XUUC-N5 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 5 | 5 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
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