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EGP50D

产品描述5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    高效整流二极管   
文件大小204KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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EGP50D概述

5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

EGP50D规格参数

参数名称属性值
封装类型
Case Style
DO-27
Maximum average forward rectified current5
Maximum recurrent peak reverse voltage200
Peak forward surge current150
Maximum instantaneous forward voltage0.95
Maximum reverse current5.0
TRR(nS)50
classDiodes

EGP50D相似产品对比

EGP50D EGP50A EGP50B EGP50F EGP50G
描述 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
零件包装代码 - - DO-27 DO-27 DO-27
制造商包装代码 - - DO-27 DO-27 DO-27

 
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