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SB180

产品描述1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小179KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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SB180概述

1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 80 V, 硅, 信号二极管, DO-41

SB180规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述D4, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层MATTE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺SCHOTTKY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限1.25 W
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压80 V
最大平均正向电流1 A

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SB120-SB1A0
Schottky Barrier Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 20 ---
100
V
CURRENT: 1.0 A
DO - 41
Features
xxxx
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
Mechanical Data
Case:JEDEC DO--41,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SB
120
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
9.5mm lead length,
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
@T
J
=125℃
(see fig.1)
SB
130
30
21
30
SB
140
40
28
40
SB
150
50
35
50
SB
160
60
42
60
1.0
SB
170
70
49
70
SB
180
80
56
80
SB
190
90
63
90
SB
UNITS
1A0
100
70
100
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
20
14
20
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forward voltage
@ 1.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25℃
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
0.5
0.7
0.5
0.85
V
mA
pF
℃/W
at rated DC blocking voltage @T
A
=100℃
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note1)
(Note2)
10.0
110
50
- 55 --- + 125
5.0
80
- 55 --- + 150
- 55 --- + 150
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermalresistance junction to ambient
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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描述 1 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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