Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 87 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | RH - 300K Rad(Si) |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 65 ns |
| 最大开启时间（吨） | 125 ns |
| IRHY53130CM | IRHY54130CMPBF | IRHY53130CMPBF | IRHY54130CM | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant | not_compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 87 mJ | 87 mJ | 87 mJ | 87 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 18 A | 18 A | 18 A | 18 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω | 0.07 Ω | 0.07 Ω | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-257AA | TO-257AA | TO-257AA | TO-257AA |
| JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A | 72 A | 72 A | 72 A |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A | - | 18 A | 16 A |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W | - | 75 W | 75 W |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
