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CD54HCT4051F

产品描述IC,ANALOG MUX,SINGLE,8-CHANNEL,HCT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小652KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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CD54HCT4051F概述

IC,ANALOG MUX,SINGLE,8-CHANNEL,HCT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC

CD54HCT4051F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
信道数量8
功能数量1
端子数量16
最大通态电阻 (Ron)270 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5,GND/-5 V
认证状态Not Qualified
最大信号电流0.025 A
最大供电电流 (Isup)0.32 mA
表面贴装NO
最长接通时间55 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

CD54HCT4051F相似产品对比

CD54HCT4051F CD54HC4051H CD54HC4052H CD54HCT4051H CD54HCT4052F CD54HCT4053F CD54HC4052F CD54HC4053F 5962-01-318-3767
描述 IC,ANALOG MUX,SINGLE,8-CHANNEL,HCT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC CD54HC4051H CD54HC4052H CD54HCT4051H IC,ANALOG MUX,SINGLE,4-CHANNEL,HCT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC CD54HCT4053F DIFFERENTIAL MULTIPLEXER SGL ENDED MULTIPLEXER IC,ANALOG MUX,SINGLE,4-CHANNEL,HC-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC
Reach Compliance Code not_compliant unknown unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
信道数量 8 8 4 8 4 2 4 2 4
功能数量 1 1 1 1 1 3 1 3 1
最大通态电阻 (Ron) 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω 270 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装等效代码 DIP16,.3 DIE OR CHIP DIE OR CHIP DIE OR CHIP DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
电源 5,GND/-5 V 2/6,GND/-6 V 2/6,GND/-6 V 5,GND/-5 V 5,GND/-5 V 5,GND/-5 V 2/6,GND/-6 V 2/6,GND/-6 V 2/6,GND/-6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大信号电流 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A 0.025 A
最长接通时间 55 ns 45 ns 65 ns 55 ns 70 ns 48 ns 65 ns 44 ns 65 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
是否Rohs认证 不符合 - - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DIP, DIP16,.3 - - - DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 - - - R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 - - - e0 e0 e0 e0 -
端子数量 16 - - - 16 16 16 16 16
封装主体材料 CERAMIC - - - CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP - - - DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - - IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
最大供电电流 (Isup) 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA - - -
表面贴装 NO - - - NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE - - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm - - - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - - - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
模拟集成电路 - 其他类型 - SINGLE-ENDED MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER - - DIFFERENTIAL MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER -
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