Photo Transistor, 875nm
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc |
Reach Compliance Code | unknown |
最大暗电源 | 100 nA |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
最高工作温度 | 100 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
峰值波长 | 875 nm |
最大功率耗散 | 0.1 W |
最长响应时间 | 0.000005 s |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
OP500SLA | OP500SLD | |
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描述 | Photo Transistor, 875nm | Photo Transistor, 875nm |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | TT Electronics plc | TT Electronics plc |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大暗电源 | 100 nA | 100 nA |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT | THROUGH HOLE MOUNT |
最高工作温度 | 100 °C | 100 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
峰值波长 | 875 nm | 875 nm |
最大功率耗散 | 0.1 W | 0.1 W |
最长响应时间 | 0.000005 s | 0.000003 s |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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