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UPD44165094BF5-E35-EQ3-A

产品描述2MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
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文件大小485KB,共40页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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UPD44165094BF5-E35-EQ3-A概述

2MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

UPD44165094BF5-E35-EQ3-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码BGA
包装说明13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)287 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度9
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.46 mm
最大待机电流0.39 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
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