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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962D0151101QXA
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5962D0151101QXA

产品描述SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68
产品类别存储    存储   
文件大小125KB，共14页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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5962D0151101QXA概述

SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68

5962D0151101QXA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码QMA
包装说明,
针数68
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
其他特性ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION
备用内存宽度16
JESD-30 代码S-XQMA-G68
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端子数量68
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置QUAD
总剂量10k Rad(Si) V

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Standard Products
QCOTS
TM
UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM
Advanced Data Sheet
August 31, 2001
FEATURES
q
25ns maximum (5 volt supply) address access time
q
Asynchronous operation for compatible with industry
standard 512K x 8 SRAMs
q
TTL compatible inputs and output levels , three-state
bidirectional data bus
q
Typical radiation performance
- Total dose: 50krads
- SEL Immune >100 MeV-cm
2
/mg
- LET
TH
(0.25) = 40 MeV-cm
2
/mg
- Saturated Cross Section (cm
2
) per bit, 1.0E -9
- <1E-10 errors/bit-day, Adams 90% geosynchronous
heavy ion
- Inherent Neutron Hardness: 1.0E14n/cm
2
- Dose Rate (estimated)
- Upset 1.0E8 rad(Si)/sec
- Latchup >1.0E11 rad(Si)/sec
q
Packaging options:
- 68-lead dual cavity ceramic quad flatpack (CQFP)
q
Standard Microcircuit Drawing 5962-01511
- QML T and Q compliant part
INTRODUCTION
The QCOTS
TM
UT9Q512K32 Quantified Commercial
Off-the-Shelf product is a high-performance 2M byte
(16Mbit) CMOS static RAM multi-chip module (MCM),
organized as four individual 524,288 x 8 bit SRAMs with a
common output enable. Memory expansion is provided by
an active LOW chip enable (En), an active LOW output
enable (G), and three-state drivers. This device has a power-
down feature that reduces power consumption by more than
90% when deselected.
Writing to each memory is accomplished by taking chip
enable (En) input LOW and write enable ( Wn) inputs LOW.
Data on the eight I/O pins (DQ
0
through DQ
7
) is then written
into the location specified on the address pins (A
0
through
A
18
). Reading from the device is accomplished by taking
chip enable (En) and output enable ( G) LOW while forcing
write enable (Wn) HIGH. Under these conditions, the
contents of the memory location specified by the address
pins will appear on the I/O pins.
The eight input/output pins (DQ
0
through DQ
7
) are placed
in a high impedance state when the device is deselected (En
HIGH), the outputs are disabled (G HIGH), or during a write
operation (En LOW and Wn LOW). Perform 8, 16, 24 or
32 bit accesses by making Wn along with En a common
E3
A(18:0)
G
W3
E2
W2
E1
W1
W0
E0
512K x 8
512K x 8
512K x 8
512K x 8
DQ(31:24)
or
DQ3(7:0)
DQ(23:16)
or
DQ2(7:0)
DQ(15:8)
or
DQ1(7:0)
DQ(7:0)
or
DQ0(7:0)
Figure 1. UT9Q512K32 SRAM Block Diagram

5962D0151101QXA相似产品对比

5962D0151101QXA 5962L0151101QXA 5962D0151101TXA 5962P0151101TXA UT9Q512K32-SPX UT9Q512K32-SWX 5962L0151101TXA 5962D0151101QXX 5962P0151101QXA
描述 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68 SRAM Module, 512KX32, 25ns, CMOS, DUAL CAVITY, CERAMIC, QFP-68
零件包装代码 QMA QMA QMA QMA QMA QMA QMA QMA QMA
针数 68 68 68 68 68 68 68 68 68
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns
其他特性 ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION ALSO ALLOWS 8 BIT AND 24 BIT OPERATION
备用内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16
JESD-30 代码 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68 S-XQMA-G68
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68 68 68 68 68 68
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
厂商名称 Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions - - Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions Cobham Semiconductor Solutions
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - - e0 - e0
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class T MIL-PRF-38535 Class T - - MIL-PRF-38535 Class T MIL-PRF-38535 Class Q MIL-PRF-38535 Class Q
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - - TIN LEAD - TIN LEAD
总剂量 10k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V - - 50k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 30k Rad(Si) V
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - - -

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