TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,50A I(C),SOT-143
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 50 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
MRF9411BLT3 | MRF9411LT3 | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,50A I(C),SOT-143 | TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,50A I(C),SOT-143 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 50 A | 50 A |
配置 | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 50 |
最高频带 | L BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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