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HGTP3N60A4D_NL

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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HGTP3N60A4D_NL概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

HGTP3N60A4D_NL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)17 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)180 ns
标称接通时间 (ton)17.5 ns

HGTP3N60A4D_NL相似产品对比

HGTP3N60A4D_NL HGT1S3N60A4DS9A_NL
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-220AB D2PAK
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 LEAD FREE PACKAGE-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown not_compliant
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 17 A 17 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 180 ns 180 ns
标称接通时间 (ton) 17.5 ns 17.5 ns

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