Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 17 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 100 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 7 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 70 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr） | 15 ns |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 180 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 17.5 ns |
| HGT1S3N60A4DS9A_NL | HGTP3N60A4D_NL | |
|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB |
| 包装说明 | LEAD FREE PACKAGE-3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 17 A | 17 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 180 ns | 180 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 17.5 ns | 17.5 ns |
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