电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

ARS254

产品描述25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小149KB,共2页
制造商KI Semiconductor
官网地址http://www.kmis.co.kr/
下载文档 选型对比 全文预览

ARS254概述

25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
KI SEMICONDUCTOR
Features
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High forward surge current capability
AR251/ARS251
THRU
AR256/ARS256
BUTTON DIODES
VOLTAGE RANGE
100 TO 600 VOLTS
CURRENT 25AMPS
.185(4.7)
.165(4.2)
AR
.185(4.7)
.165(4.2)
ARS
Mechanical Data
Case: transfer molded plastic
Technology: vcauum soldered
Polarity: color ring denotes cathode
Lead: Plated lead, solderable per MIL-STD-202E method 208C
Mounting position: Any
Weigth: AR 1.80 grams, ARS 1.60 grams
.250(6.4)
.235(6.0)
.250(6.4)
.235(6.0)
.410(10.4)
DIA
.380( 9.7)
.225(5.7)
DIA
.215(5.5)
.346(8.8)
DIA
.327(8.2)
.225(5.7)
DIA
.215(5.5)
Maximum Ratings and Electrical Charactristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameters
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RM S voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum Average rectified forward current
at T
C
=110
o
C
Peak forward surge current 8.3mS single
half sine-wave superimposed on rated load
(JE DEC Method)
Rating for fusing(t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage
drop at 100A
Maximum DC reverse current T
A
=25
o
C
at rated DC blocking voltage T
A
=150
o
C
Typical thermal resistance
Operating and storage temperature
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
STG
AR251
ARS251
100
70
100
Dimensions in inches and millimeters
AR252
ARS252
200
140
200
AR253
ARS253
300
210
300
25
400
664
1.1
5.0
450
1.0
-65 to +175
AR254
ARS254
400
280
400
AR256
ARS256
600
420
600
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
A
2
S
Volts
uA
o
C/W
o
C
Notes: 1.Enough heatsink must be considered in application.
KI SEMICONDUCTOR

ARS254相似产品对比

ARS254 AR251 AR252 AR253 AR254 AR256 ARS251 ARS252 ARS253 ARS256
描述 25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
新手纠结很多天了,求解答出来!90c52多功能电子时钟,有秒表,闹钟功能,用4*3键盘
#include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char // P0段显 P2位显 sbit beep=P1^5; uint hour=19,minute=58,second=48; uint num,num1; uchar temp0,temp1,temp2,t ......
yanqier2010 单片机
141错误 打死也找不到..求帮助
sbit LCDRS=P3^4;sbit LCDRW=P3^3;sbit LCDEN=P3^2;sbit LCDRST=P3^0;sbit LCDPSB=P3^1;uchar data z;uchar data y;uchar data column;uchar data page;uchar *p2;uchar wbyte; void delayms(u ......
fight281 51单片机
无线电的历史和概念及其关键技术
无线通信技术的发展,无线用户的数量急剧增加,使得频谱资源变得越来越紧张,如何充分提高无线频谱的利用率成为亟待解决的技术问题。认知无线电技术提出了一种新的解决思路,其核心思想就是 ......
Jacktang 无线连接
一周好资源:2016.12.26-2017.1.1
编程语言 C in a Nutshell, 2nd Edition.pdf fanuc pmc程序加密 JPEG图像压缩 MicroPython中文教程 1.0 emWin5.26指导手册 嵌入式处理器 LPC17xx系列硬件资料(原理图,封装库) msp4 ......
okhxyyo 下载中心专版
最新版的STM32F中文参考手册发布没有?
目前我手里的是第7版,有第8版了吗?...
wshb007 stm32/stm8
绝对经典的误差放大器的设计论文
这是一个开关电源中经典的误差放大器设计.希望对大家有所帮助....
linda_xia 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2250  1015  2794  480  456  22  19  39  30  42 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved