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AR256

产品描述25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小149KB,共2页
制造商KI Semiconductor
官网地址http://www.kmis.co.kr/
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AR256概述

25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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KI SEMICONDUCTOR
Features
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High forward surge current capability
AR251/ARS251
THRU
AR256/ARS256
BUTTON DIODES
VOLTAGE RANGE
100 TO 600 VOLTS
CURRENT 25AMPS
.185(4.7)
.165(4.2)
AR
.185(4.7)
.165(4.2)
ARS
Mechanical Data
Case: transfer molded plastic
Technology: vcauum soldered
Polarity: color ring denotes cathode
Lead: Plated lead, solderable per MIL-STD-202E method 208C
Mounting position: Any
Weigth: AR 1.80 grams, ARS 1.60 grams
.250(6.4)
.235(6.0)
.250(6.4)
.235(6.0)
.410(10.4)
DIA
.380( 9.7)
.225(5.7)
DIA
.215(5.5)
.346(8.8)
DIA
.327(8.2)
.225(5.7)
DIA
.215(5.5)
Maximum Ratings and Electrical Charactristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameters
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RM S voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum Average rectified forward current
at T
C
=110
o
C
Peak forward surge current 8.3mS single
half sine-wave superimposed on rated load
(JE DEC Method)
Rating for fusing(t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage
drop at 100A
Maximum DC reverse current T
A
=25
o
C
at rated DC blocking voltage T
A
=150
o
C
Typical thermal resistance
Operating and storage temperature
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
STG
AR251
ARS251
100
70
100
Dimensions in inches and millimeters
AR252
ARS252
200
140
200
AR253
ARS253
300
210
300
25
400
664
1.1
5.0
450
1.0
-65 to +175
AR254
ARS254
400
280
400
AR256
ARS256
600
420
600
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
A
2
S
Volts
uA
o
C/W
o
C
Notes: 1.Enough heatsink must be considered in application.
KI SEMICONDUCTOR

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