Standard SRAM, 256X8, CMOS, PDIP8,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.1 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
端口数量 | 1, (2 LINE) |
端子数量 | 8 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X8 |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 4e-7 A |
最小待机电流 | 1 V |
最大压摆率 | 0.0002 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
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