IDT70V9389S7PRF,IDT70V9389S7PRF pdf中文资料,IDT70V9389S7PRF引脚图,IDT70V9389S7PRF电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT70V9389S7PRF: 产品描述Dual-Port SRAM, 64KX18, 7ns, PQFP128, TQFP-128; 产品类别存储存储; 文件大小40KB，共1页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V9389S7PRF概述

Dual-Port SRAM, 64KX18, 7ns, PQFP128, TQFP-128

IDT70V9389S7PRF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP,
针数	128
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	128
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

IDT70V9389S7PRF相似产品对比

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描述	Dual-Port SRAM, 64KX18, 7ns, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 12ns, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 64KX18, 9ns, PQFP128, TQFP-128
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,
针数	128	128	128	128	128
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bi
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	128	128	128	128	128
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
最长访问时间	7 ns	-	-	12 ns	9 ns
其他特性	SELF-TIMED WRITE CYCLE	-	-	SELF-TIMED WRITE CYCLE	SELF-TIMED WRITE CYCLE

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