SN74ACT2151FNR概述

1KX11 CACHE TAG SRAM, 22ns, PQCC28

SN74ACT2151FNR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	QCCJ,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	22 ns
JESD-30 代码	S-PQCC-J28
长度	11.5062 mm
内存密度	11264 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM
内存宽度	11
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX11
输出特性	TOTEM POLE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.5062 mm

SN74ACT2151FNR相似产品对比

	SN74ACT2151FNR	SN74ACT2153FNR
描述	1KX11 CACHE TAG SRAM, 22ns, PQCC28	1KX11 CACHE TAG SRAM, 22ns, PQCC28
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	QCCJ,	QCCJ,
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	22 ns	22 ns
JESD-30 代码	S-PQCC-J28	S-PQCC-J28
长度	11.5062 mm	11.5062 mm
内存密度	11264 bit	11264 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM	CACHE TAG SRAM
内存宽度	11	11
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	28	28
字数	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	1KX11	1KX11
输出特性	TOTEM POLE	TOTEM POLE
可输出	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD
宽度	11.5062 mm	11.5062 mm

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