TF666-12A,TF666-12A pdf中文资料,TF666-12A引脚图,TF666-12A电路-Datasheet-电子工程世界

TF666-12A: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1200V V(DRM),; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小722KB，共12页; 制造商Dynex; 官网地址http://www.dynexsemi.com/

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TF666-12A概述

Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1200V V(DRM),

	TF666-12A	TF666-06A	TF666-10A	TF666-14A
描述	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 600V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1400V V(DRM),
厂商名称	Dynex	Dynex	Dynex	Dynex
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
标称电路换相断开时间	20 µs	20 µs	20 µs	20 µs
关态电压最小值的临界上升速率	300 V/us	300 V/us	300 V/us	300 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V
最大漏电流	35 mA	35 mA	35 mA	35 mA
通态非重复峰值电流	9000 A	9000 A	9000 A	9000 A
最大通态电压	2.1 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V
最大通态电流	700000 A	700000 A	700000 A	700000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-45 °C	-45 °C	-45 °C	-45 °C
断态重复峰值电压	1200 V	600 V	1000 V	1400 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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