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TF666-10A

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小722KB,共12页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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TF666-10A概述

Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM),

TF666-10A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Dynex
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间20 µs
关态电压最小值的临界上升速率300 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大漏电流35 mA
通态非重复峰值电流9000 A
最大通态电压2.1 V
最大通态电流700000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-45 °C
断态重复峰值电压1000 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

TF666-10A相似产品对比

TF666-10A TF666-06A TF666-12A TF666-14A
描述 Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1400V V(DRM),
厂商名称 Dynex Dynex Dynex Dynex
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
标称电路换相断开时间 20 µs 20 µs 20 µs 20 µs
关态电压最小值的临界上升速率 300 V/us 300 V/us 300 V/us 300 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V
最大漏电流 35 mA 35 mA 35 mA 35 mA
通态非重复峰值电流 9000 A 9000 A 9000 A 9000 A
最大通态电压 2.1 V 2.1 V 2.1 V 2.1 V
最大通态电流 700000 A 700000 A 700000 A 700000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -45 °C -45 °C -45 °C -45 °C
断态重复峰值电压 1000 V 600 V 1200 V 1400 V
表面贴装 NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR
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