Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Dynex |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
标称电路换相断开时间 | 20 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 300 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大漏电流 | 35 mA |
通态非重复峰值电流 | 9000 A |
最大通态电压 | 2.1 V |
最大通态电流 | 700000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -45 °C |
断态重复峰值电压 | 1000 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
TF666-10A | TF666-06A | TF666-12A | TF666-14A | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1000V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 600V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 1400V V(DRM), |
厂商名称 | Dynex | Dynex | Dynex | Dynex |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
标称电路换相断开时间 | 20 µs | 20 µs | 20 µs | 20 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 300 V/us | 300 V/us | 300 V/us | 300 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大漏电流 | 35 mA | 35 mA | 35 mA | 35 mA |
通态非重复峰值电流 | 9000 A | 9000 A | 9000 A | 9000 A |
最大通态电压 | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V |
最大通态电流 | 700000 A | 700000 A | 700000 A | 700000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -45 °C | -45 °C | -45 °C | -45 °C |
断态重复峰值电压 | 1000 V | 600 V | 1200 V | 1400 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR |
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