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2N1745: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小108KB，共1页; 制造商Semitronics Corp

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2N1745概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN

	2N1745	2N1742	2N2360
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-9	TO-9	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	TO-9, 3 PIN	TO-12, 4 PIN
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A
配置	Single	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	10	10	10
JEDEC-95代码	TO-9	TO-9	TO-12
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W4
JESD-609代码	e0	e0	e0
端子数量	3	3	4
最高工作温度	100 °C	100 °C	125 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.06 W	0.06 W	0.06 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	GERMANIUM	GERMANIUM	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	1.6 MHz	10 MHz	1600 MHz
Base Number Matches	1	1	1
是否无铅	含铅	含铅	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
集电极-发射极最大电压	20 V	20 V	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ