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2N2360

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共1页
制造商Semitronics Corp
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2N2360概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN

2N2360规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BCY
包装说明TO-12, 4 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-12
JESD-30 代码O-MBCY-W4
JESD-609代码e0
端子数量4
最高工作温度125 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.06 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)1600 MHz
Base Number Matches1

2N2360相似产品对比

2N2360 2N1742 2N1745
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), Germanium, PNP, TO-12, TO-12, 4 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, PNP, Germanium, TO-9, TO-9, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BCY TO-9 TO-9
包装说明 TO-12, 4 PIN TO-9, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-12 TO-9 TO-9
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子数量 4 3 3
最高工作温度 125 °C 100 °C 100 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.06 W 0.06 W 0.06 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 1600 MHz 10 MHz 1.6 MHz
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 - 含铅 含铅
ECCN代码 - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 20 V 20 V
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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