电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TN635

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共1页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TN635概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN

TN635规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
零件包装代码TO-237
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max0.5 V

TN635相似产品对比

TN635 TN3020 TN392 TN2270 TN391 TN3742
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 45 V 80 V 250 V 45 V 200 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 15 40 50 40 20
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-T3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 130 MHz 80 MHz 50 MHz 100 MHz 50 MHz 30 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 2 V 0.9 V 2 V 1 V
基于收集器的最大容量 - 12 pF 2 pF 15 pF 2 pF 3 pF
MSP430FR6989开发板 有用过的么 求介绍有什么不同
430FR6989 TI今年五月出的 没用过 请问谁用过的简单介绍一下 优势 谢谢 ...
444368257 微控制器 MCU
嵌入式,项目,求救!
各位朋友,本人有一些Windows平台的C++开发经验,现在想做嵌入式,自己也有一块ARM的板子,搞过linux的bootloader和内核移植,但是却没有项目可以去学习。本来想去参加培训,可是没有时间。不知 ......
fund123 嵌入式系统
求一个比较全的PCB_3D库
:congratulate::congratulate: ...
冷冷阿 PCB设计
ST开发基金来啦,助大赛网友继续“玩”下去!申请走起!
>>点击查看审核结果 大赛详情:点此查看 颁奖详情:点此查看 大赛网友说,参与大赛不同于工作,可以做一些自己喜欢的东西。那么将自己喜欢的东西做的更完整{:1_102:},会不会让你 ......
EEWORLD社区 机器人开发
晒晒我收到的 LPC800 Mini-Kit
122023 122024 122025 122026...
dontium NXP MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2490  1677  833  1802  1491  26  36  44  13  20 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved