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TN3020

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共1页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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TN3020概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN

TN3020规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-237
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量12 pF
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

TN3020相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, PLASTIC, TO-237, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237 TO-237
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 1 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 250 V 45 V 200 V 45 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 40 50 40 25 20
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA TO-237AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 50 MHz 100 MHz 50 MHz 130 MHz 30 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 2 V 0.9 V 2 V 0.5 V 1 V
基于收集器的最大容量 12 pF 2 pF 15 pF 2 pF - 3 pF
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