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NP161N04TUG-E1-AY

产品描述Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共8页
制造商NEC(日电)
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NP161N04TUG-E1-AY概述

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN

NP161N04TUG-E1-AY规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)160 A
最大漏源导通电阻0.0018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G6
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)640 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP161N04TUG-E1-AY相似产品对比

NP161N04TUG-E1-AY NP161N04TUG-E2-AY
描述 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN LEAD FREE, MP-25ZT, TO-263, 7 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) 160 A 160 A
最大漏源导通电阻 0.0018 Ω 0.0018 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G6 R-PSSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 640 A 640 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 PURE TIN PURE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
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