Serial I/O Controller, 1 Channel(s), 0.125MBps, CMOS, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 地址总线宽度 | 2 |
| 边界扫描 | NO |
| 总线兼容性 | 80C86 |
| 最大时钟频率 | 16 MHz |
| 通信协议 | ASYNC, BIT |
| 数据编码/解码方法 | NRZ |
| 最大数据传输速率 | 0.125 MBps |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低功率模式 | NO |
| DMA 通道数量 | |
| I/O 线路数量 | |
| 串行 I/O 数 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 片上数据RAM宽度 | |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| RAM（字数） | 0 |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大压摆率 | 3 mA |
| 最大供电电压 | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL |
这款芯片是ARRIS 82C52/883，它是一款高性能的可编程通用异步接收/发送器（UART）和波特率生成器（BRG），集成在单芯片上。以下是它在军事应用中的一些优势：
符合军用标准：该电路按照Mil-Std-883标准进行处理，并完全符合1.2.1条款的规定，这意味着它能够承受严苛的环境和工作条件。
宽工作温度范围：它的军事运行温度范围为-55°C至+125°C，这使得它能够在极端气候条件下稳定工作。
低功耗操作：在1MHz数据速率时，典型功耗仅为1mA/MHz，这有助于在便携式或远程军事应用中延长电池寿命。
单+5V电源供电：简化了电源设计，提高了系统的可靠性。
先进的CMOS工艺：使用Harris先进的Scaled SAJIV CMOS工艺，支持高达1Mbaud的数据速率。
内部波特率生成器：具有72种可选择的波特率，使用单一工业标准晶体或外部频率源进行编程。
高数据完整性：具有线断裂生成和检测能力，确保数据传输的可靠性。
Modem接口：提供数据设备就绪（DSR）、允许发送（CTS）等信号的接口，适合与调制解调器等通信设备配合使用。
中断模式：具有带屏蔽能力的中断模式，可以灵活地处理中断请求。
80C86兼容：与80C86微处理器兼容，便于在现有系统中集成。
封装选项：提供陶瓷DIP和LCC封装，适合在各种军事和航空航天应用中使用。
ESD保护：具有静电放电保护，适合在高静电环境中使用。
这些特性使得ARRIS 82C52/883非常适合在军事和航空航天领域中使用，尤其是在需要高可靠性、数据完整性和在恶劣环境下稳定运行的应用场景。
| MD82C52-/883 | 8501501XA | MR82C52-/883 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Serial I/O Controller, 1 Channel(s), 0.125MBps, CMOS, CDIP28 | Serial I/O Controller, 1 Channel(s), 0.125MBps, CMOS, CDIP28 | Serial I/O Controller, 1 Channel(s), 0.125MBps, CMOS, CQCC28 |
| 厂商名称 | Harris | Harris | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | , | QCCN, LCC28,.45SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 地址总线宽度 | 2 | 2 | 2 |
| 边界扫描 | NO | NO | NO |
| 总线兼容性 | 80C86 | 80C86 | 80C86 |
| 最大时钟频率 | 16 MHz | 16 MHz | 16 MHz |
| 通信协议 | ASYNC, BIT | ASYNC, BIT | ASYNC, BIT |
| 数据编码/解码方法 | NRZ | NRZ | NRZ |
| 最大数据传输速率 | 0.125 MBps | 0.125 MBps | 0.125 MBps |
| 外部数据总线宽度 | 8 | 8 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | S-CQCC-N28 |
| 低功率模式 | NO | NO | NO |
| 串行 I/O 数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
| 最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL | SERIAL IO/COMMUNICATION CONTROLLER, SERIAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 封装代码 | DIP | - | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | - | LCC28,.45SQ |
| 电源 | 5 V | - | 5 V |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | - | 38535Q/M;38534H;883B |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
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