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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> SKT600/12D
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SKT600/12D

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小157KB，共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准  
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SKT600/12D概述

Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

SKT600/12D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间200 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率500 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流500 mA
JEDEC-95代码TO-200AB
JESD-30 代码O-MEDB-N2
JESD-609代码e2
最大漏电流80 mA
通态非重复峰值电流12000 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流600000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流942 A
重复峰值关态漏电流最大值80000 µA
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

SKT600/12D文档预览

V
RSM
V
RRM
V
DRM
dv
I
TRMS
(maximum values for continuous operation)
cr
dt
1400 A
1600 A
I
TAV
(sin. 180; T
case
= . . . ; DSC)
890 A (57
°C)
1020 A (56
°C)
SKT 600/04 D
SKT 600/08 D
SKT 600/12 D
SKT 600/12 E
SKT 600/14 E
SKT 600/16 E
SKT 600/18 E
SKT 760/04 D
SKT 760/08 D
SKT 760/12 D
SKT 760/12 E
SKT 760/14 E
SKT 760/16 E
SKT 760/18 E
Thyristors
SKT 600
SKT 760
V
500
900
1300
1500
1700
1900
V
400
800
1200
1400
1600
1800
V/µs
500
500
500
1000
1000
1000
1000
Symbol Conditions
I
TAV
I
TSM
i
2
t
t
gd
t
gr
(di/dt)
cr
I
H
I
L
t
q
V
T
V
T(TO)
r
T
I
DD
, I
RD
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
R
thjc
sin. 180; (T
case
= ...); DSC
T
vj
= 25
°C:
10 ms
T
vj
= 125
°C:
10 ms
T
vj
= 25
°C:
8,3 ... 10 ms
T
vj
= 125
°C:
8,3 ... 10 ms
T
vj
= 25
°C;
I
G
= 1 A; di
G
/dt = 1 A/µs
V
D
= 0,67 . V
DRM
f = 50 . . . 60 Hz
T
vj
= 25
°C;
typ./max.
T
vj
= 25
°C;
typ./max.
T
vj
= 125
°C;
typ.
T
vj
= 25
°C;
I
T
= 2400 A; max.
T
vj
= 125
°C
T
vj
= 125
°C
T
vj
= 125
°C;
V
DD
= V
DRM
; V
RD
= V
RRM
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 125
°C
T
vj
= 125
°C
cont. DSC
sin. 180; DSC/SSC
rec. 120; DSC/SSC
DSC/SSC
SKT 600
600 A
(85
°C)
11 500 A
10 000 A
660 kA
2
s
500 kA
2
s
SKT 760
760 A
(80
°C)
15 000 A
13 000 A
1125 kA
2
s
845 kA
2
s
Features
•
Hermetic metal cases with
ceramic insulators
•
Capsule packages for double
sided cooling
•
Shallow design with single
sided cooling
•
International standard cases
•
Off-state and reverse voltages
up to 1800 V
Typical Applications
•
DC motor control
(e. g. for machine tools)
•
Controlled rectifiers
(e. g. for battery charging)
•
AC controllers
(e. g. for temperature control)
typ. 1
µs
typ. 2
µs
125 A/
µs
150 mA/500 mA
500 mA/2 A
100 ... 200
µs
2,0 V
1,0 V
0,4 mΩ
80 mA
1,65 V
0,92 V
0,3 mΩ
80 mA
3V
200 mA
0,25 V
10 mA
0,038
°C/W
0,040/0,082
°C/W
0,045/0,093
°C/W
0,007/0,014
°C/W
– 40 ... +125
°C
– 40 ... +130
°C
10 ... 13 kN
2200 ... 2850 lbs.
240 g
B 10
R
thch
T
vj
T
stg
F
w
Case
SI units
US units
© by SEMIKRON
0895
B 3 – 45
B 3 – 46
© by SEMIKRON
© by SEMIKRON
B 3 – 47
B 3 – 48
© by SEMIKRON
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SKT600/12D相似产品对比

SKT600/12D SKT760/12D
描述 Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB Silicon Controlled Rectifier, 1193.2A I(T)RMS, 760000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON
包装说明 DISK BUTTON, O-MEDB-N2 DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Code compliant compliant
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
标称电路换相断开时间 200 µs 200 µs
配置 SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 500 V/us 500 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V
最大维持电流 500 mA 500 mA
JEDEC-95代码 TO-200AB TO-200AB
JESD-30 代码 O-MEDB-N2 O-MEDB-N2
JESD-609代码 e2 e2
最大漏电流 80 mA 80 mA
通态非重复峰值电流 12000 A 15000 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最大通态电流 600000 A 760000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 942 A 1193.2 A
重复峰值关态漏电流最大值 80000 µA 80000 µA
断态重复峰值电压 1200 V 1200 V
重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR

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