Silicon Controlled Rectifier, 1193.2A I(T)RMS, 760000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SEMIKRON |
| 包装说明 | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间 | 200 µs |
| 配置 | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| 最大维持电流 | 500 mA |
| JEDEC-95代码 | TO-200AB |
| JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 最大漏电流 | 80 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 15000 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最大通态电流 | 760000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 1193.2 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值 | 80000 µA |
| 断态重复峰值电压 | 1200 V |
| 重复峰值反向电压 | 1200 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |




| SKT760/12D | SKT600/12D | |
|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 1193.2A I(T)RMS, 760000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SEMIKRON | SEMIKRON |
| 包装说明 | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 标称电路换相断开时间 | 200 µs | 200 µs |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V |
| 最大维持电流 | 500 mA | 500 mA |
| JEDEC-95代码 | TO-200AB | TO-200AB |
| JESD-30 代码 | O-MEDB-N2 | O-MEDB-N2 |
| JESD-609代码 | e2 | e2 |
| 最大漏电流 | 80 mA | 80 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 15000 A | 12000 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最大通态电流 | 760000 A | 600000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 1193.2 A | 942 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值 | 80000 µA | 80000 µA |
| 断态重复峰值电压 | 1200 V | 1200 V |
| 重复峰值反向电压 | 1200 V | 1200 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | END | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR | SCR |
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