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IXGD20N60

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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IXGD20N60概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254

IXGD20N60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Silicon Transistor Corporation
零件包装代码TO-254
包装说明UNCASED CHIP, X-XUUC-N
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JESD-30 代码X-XUUC-N
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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