IDT71B128S10P,IDT71B128S10P pdf中文资料,IDT71B128S10P引脚图,IDT71B128S10P电路-Datasheet-电子工程世界

IDT71B128S10P: 产品描述Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小158KB，共6页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71B128S10P概述

Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32

IDT71B128S10P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	41.021 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

IDT71B128S10P相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, BICMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, BICMOS, PDIP32, 0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 256KX4, 10ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	SOJ,	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	SOJ,	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	SOJ,
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	10 ns	15 ns	12 ns	12 ns	12 ns	10 ns	15 ns	15 ns	10 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDSO-J32	R-PDIP-T32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDIP-T32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	41.021 mm	20.96 mm	41.021 mm	20.96 mm	20.96 mm	20.96 mm	41.021 mm	20.96 mm	20.96 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	DIP	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.683 mm	5.08 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	5.08 mm	3.683 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	YES	YES	NO	YES	YES
技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅	-	含铅	-	含铅
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	-
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	DIP32,.4	-	DIP32,.4	SOJ32,.44	-	SOJ32,.44	DIP32,.4	SOJ32,.44	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	-	225	-	NOT SPECIFIED	-	225
电源	5 V	-	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-
最大压摆率	0.165 mA	-	0.155 mA	0.155 mA	-	0.165 mA	0.15 mA	0.15 mA	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	-	30	-	NOT SPECIFIED	-	30

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