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MB814101-10LPSZ

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
产品类别存储    存储   
文件大小58KB,共1页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB814101-10LPSZ概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

MB814101-10LPSZ规格参数

参数名称属性值
Objectid1439892279
包装说明ZIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PZIP-T20
长度25.88 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织4MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
座面最大高度10.16 mm
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
宽度2.85 mm

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

MB814101-10LPSZ相似产品对比

MB814101-10LPSZ MB814101-10LPJN MB814101-80LPJ MB814101-10LP
描述 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDIP18
包装说明 ZIP, SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.4 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 100 ns 100 ns 80 ns 100 ns
JESD-30 代码 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDIP-T18
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 18
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP SOJ SOJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
零件包装代码 - LCC LCC DIP
针数 - 26/20 26/20 18
I/O 类型 - SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-609代码 - e0 e0 e0
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.4 DIP18,.3
电源 - 5 V 5 V 5 V
刷新周期 - 1024 1024 1024
最大待机电流 - 0.0002 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 - 0.065 mA 0.075 mA 0.065 mA
标称供电电压 (Vsup) - 5 V 5 V 5 V
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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