MB814101-10LPJN概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20

MB814101-10LPJN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	LCC
包装说明	SOJ, SOJ20/26,.34
针数	26/20
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-J20
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1
端子数量	20
字数	4194304 words
字数代码	4000000
组织	4MX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ20/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.065 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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	MB814101-10LPJN	MB814101-80LPJ	MB814101-10LP	MB814101-10LPSZ
描述	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDIP18	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
包装说明	SOJ, SOJ20/26,.34	SOJ, SOJ20/26,.4	DIP, DIP18,.3	ZIP,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	100 ns	80 ns	100 ns	100 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J20	R-PDSO-J20	R-PDIP-T18	R-PZIP-T20
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1	1
端子数量	20	20	18	20
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
组织	4MX1	4MX1	4MX1	4MX1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	DIP	ZIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	ZIG-ZAG
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	-
零件包装代码	LCC	LCC	DIP	-
针数	26/20	26/20	18	-
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	SOJ20/26,.34	SOJ20/26,.4	DIP18,.3	-
电源	5 V	5 V	5 V	-
刷新周期	1024	1024	1024	-
最大待机电流	0.0002 A	0.0002 A	0.0002 A	-
最大压摆率	0.065 mA	0.075 mA	0.065 mA	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-

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