HFA1135MJ/883,HFA1135MJ/883 pdf中文资料,HFA1135MJ/883引脚图,HFA1135MJ/883电路-Datasheet-电子工程世界

HFA1135MJ/883: 产品描述Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小154KB，共5页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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HFA1135MJ/883概述

Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8

	HFA1135MJ/883
描述	Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	CURRENT-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	15 µA
标称共模抑制比	44 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	10000 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
低-失调	NO
负供电电压上限	-6 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	+-5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
标称压摆率	1200 V/us
供电电压上限	6 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽带	YES

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ