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KM718V787-9

产品描述Standard SRAM, 128KX18, 9ns, CMOS, PQFP100
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文件大小457KB,共15页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM718V787-9概述

Standard SRAM, 128KX18, 9ns, CMOS, PQFP100

KM718V787-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间9 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD

KM718V787-9相似产品对比

KM718V787-9 KM718V787-8
描述 Standard SRAM, 128KX18, 9ns, CMOS, PQFP100 Standard SRAM, 128KX18, 8ns, CMOS, PQFP100
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 QFP, QFP100,.63X.87 QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 9 ns 8 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 18
端子数量 100 100
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 128KX18 128KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP QFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.3 mA 0.33 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 QUAD QUAD

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