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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1106(T5LMIK,F)
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RN1106(T5LMIK,F)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小567KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1106(T5LMIK,F)概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RN1106(T5LMIK,F)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1101∼RN1106
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101, RN1102, RN1103
RN1104, RN1105, RN1106
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2101 to RN2106
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4 mg (typ).
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101 to 1106
RN1101 to 1106
RN1101 to 1104
RN1105, 1106
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN1106(T5LMIK,F)相似产品对比

RN1106(T5LMIK,F) RN1102,LF(CT RN1106,LF(CT RN1105,LF(CT RN1104,LF(CT RN1102(TE85LF) RN1105(T5L,PP,F) RN1101(T5L,F,T) RN1106(T5L,F,T)
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Toshiba(东芝) - - - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown - - - - unknown unknown unknown unknow

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