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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN1106,LF(CT
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RN1106,LF(CT

产品描述TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小567KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1106,LF(CT概述

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

RN1106,LF(CT规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基底（R1）4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）47 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值100mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-75，SOT-416
供应商器件封装SSM

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RN1101∼RN1106
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1101, RN1102, RN1103
RN1104, RN1105, RN1106
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2101 to RN2106
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1101
RN1102
RN1103
RN1104
RN1105
RN1106
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4 mg (typ).
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101 to 1106
RN1101 to 1106
RN1101 to 1104
RN1105, 1106
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN1106,LF(CT相似产品对比

RN1106,LF(CT RN1102,LF(CT RN1105,LF(CT RN1104,LF(CT RN1102(TE85LF) RN1105(T5L,PP,F) RN1106(T5LMIK,F) RN1101(T5L,F,T) RN1106(T5L,F,T)
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 - - - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code - - - - unknown unknown unknown unknown unknow

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