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KFN2G16Q2M-DEB50

产品描述Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63, 11 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
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文件大小2MB,共124页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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KFN2G16Q2M-DEB50概述

Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63, 11 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

KFN2G16Q2M-DEB50规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA63,10X12,32
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间76 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级2
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-30 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小1K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型SLC NAND TYPE
宽度11 mm

KFN2G16Q2M-DEB50相似产品对比

KFN2G16Q2M-DEB50 KFM1G16Q2M-DEB6000 KFM1G16Q2M-DEB6T KFN2G16Q2M-DEB6T KFN2G16Q2M-DEB6000 KFN2G16Q2M-DEB5T KFM1G16Q2M-DEB5T
描述 Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63, 11 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63 Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63 Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63 Flash, 128MX16, 76ns, PBGA63 Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
包装说明 TFBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32 FBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compli
最长访问时间 76 ns 76 ns 76 ns 76 ns 76 ns 76 ns 76 ns
命令用户界面 YES YES YES YES YES YES YES
数据轮询 NO NO NO NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63
JESD-609代码 e1 e3 e3 e3 e3 e3 e3
内存密度 2147483648 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16
湿度敏感等级 2 1 1 1 1 1 1
部门数/规模 2K 1K 1K 2K 2K 2K 1K
端子数量 63 63 63 63 63 63 63
字数 134217728 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words
字数代码 128000000 64000000 64000000 128000000 128000000 128000000 64000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C -30 °C
组织 128MX16 64MX16 64MX16 128MX16 128MX16 128MX16 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
页面大小 1K words 1K words 1K words 1K words 1K words 1K words 1K words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 225 225 225 225 225 225
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES YES YES YES
部门规模 64K 64K 64K 64K 64K 64K 64K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES YES YES YES YES YES
类型 SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅

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