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NS32829D-80

产品描述1MX1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小889KB,共23页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

NS32829D-80概述

1MX1, DRAM CONTROLLER, CDIP52, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-52

NS32829D-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
Objectid1420908148
包装说明DIP, DIP52,.6
Reach Compliance Codeunknown
compound_id182014613
地址总线宽度20
边界扫描NO
最大时钟频率80 MHz
外部数据总线宽度
JESD-30 代码R-CDIP-T52
JESD-609代码e0
低功率模式NO
内存组织1M X 1
区块数量4
端子数量52
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP52,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率240 mA
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MEMORY CONTROLLER, DRAM
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