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VE68X

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小73KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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VE68X概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon,

VE68X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JESD-30 代码O-PBCY-W4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流17 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度135 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流0.00001 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM

VE68X相似产品对比

VE68X VE28X VE08X
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.5 V 1.5 V 1.5 V
JESD-30 代码 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 17 A 17 A 17 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 4 4 4
最高工作温度 135 °C 135 °C 135 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 50 V
最大反向电流 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
厂商名称 Microsemi - Microsemi

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