Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 17 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 135 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 50 V |
最大反向电流 | 0.00001 µA |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
VE08X | VE28X | VE68X | |
---|---|---|---|
描述 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 600V V(RRM), Silicon, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 17 A | 17 A | 17 A |
元件数量 | 4 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 135 °C | 135 °C | 135 °C |
最低工作温度 | -50 °C | -50 °C | -50 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 50 V | 200 V | 600 V |
最大反向电流 | 0.00001 µA | 0.00001 µA | 0.00001 µA |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs | 0.2 µs | 0.2 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
厂商名称 | Microsemi | - | Microsemi |
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